收藏本站
IXFR 44N50Q
IXFR 48N50Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS 247 OUTLINE
g fs
V DS = 10 V; I D = I T
Notes 2, 3
30
42
S
C iss
7000
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External), Notes 2, 3
960
230
33
22
75
10
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
Notes 2, 3
190
40
86
nC
nC
nC
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
R thJC
R thCK
0.15
0.40
K/W
K/W
Dim.
A
A 1
A 2
Millimeter
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
b
b 1
b 2
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
.045 .055
.075 .084
.115 .123
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
C
D
E
e
L
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; Note 1
48
192
A
A
L1
Q
R
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.150 .170
.220 .244
.170 .190
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I T , V GS = 0 V, Notes 2, 3
I F = 25A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
1.5
250
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3. IXFR44N50Q: I T = 22 A
IXFR48N50Q: I T = 24 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFR48N60P MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
IXFR48N60Q3 MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
IXFR4N100Q MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
IXFR55N50 MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
IXFR58N20Q MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
IXFR64N50P MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
IXFR64N50Q3 MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
IXFR64N60P MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXFR48N60P 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR48N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR4N100Q 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR50N50 功能描述:MOSFET 43 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR52N30Q 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR55N50 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR55N50F 功能描述:MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR58N20 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube